• 40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy
  • 40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy
  • 40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy
  • 40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy
  • 40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy
  • 40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy
40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy

40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia: Chiny
Nazwa handlowa: TIAN RUI
Numer modelu: Warystory 40D

Zapłata:

Minimalne zamówienie: 1000szt
Cena: Negotiable
Szczegóły pakowania: Torba PE
Czas dostawy: No input file specified.
Zasady płatności: D / P, T / T, Paypal, Western Union
Możliwość Supply: 1000000PCS / miesiąc
Najlepsza cena Kontakt

Szczegóły informacji

Numer modelu: ZOV40D201K~162K Rodzaj: Warystor z tlenku metalu (MOV)
Napięcie warystora: 240V~1600V Tolerancja napięcia warystora: ±10%
Prowadzić: Ocynkowany Średnica elementu: 40
Stosowanie: Ochrona przed przepięciami ZANURZAĆ: 2
Kolor: Niebieski Przykładowa dostawa: Dostępny
Pakiet: cielsko
High Light:

Rezystor zależny od napięcia 40D201K VDR

,

Rezystor zależny od napięcia 240 V VDR

,

Rezystor wysokonapięciowy 1600 V

opis produktu

 

40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy

 

 

40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy 0

 

 

Cechy

 

• Szeroki zakres napięcia roboczego (V1mA) od 240V~1600V


• Szybka reakcja na przejściowe przepięcia.


• Duża zdolność pochłaniania energii przejściowej.


• Niski współczynnik zaciskania i brak prądu następczego.

 

Informacje ogólne

 

• Ochrona przeciwprzepięciowa w elektronice użytkowej


• Ochrona przeciwprzepięciowa w elektronice przemysłowej


• Pochłanianie udarów przekaźnika i zaworu elektromagnetycznego


• Zabezpieczenie półprzewodnikowe tranzystora, diody, układu scalonego, tyrystora lub triaka


• Ochrona przeciwprzepięciowa w elektronicznych urządzeniach domowych, urządzeniach gazowych i naftowych

 

Ogólna charakterystyka

 

• Korpus: żywica epoksydowa


• Wyprowadzenia: drut Cu


• Temperatura pracy: -40ºC do +85ºC


• Temperatura przechowywania: -40ºC do +125ºC


• Urządzenia osiowe: cynowane

40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy 1

 

Tabela 1
Jednostka: mm
Symbol Wymiar
D(maks.) 45,0
H(maks.) 60,2
F(±1,0) 25,4
T(maks.) Tabela 2
d(±0,25) 0,5
L(min.) 14,5
K(maks.) 3.2
W(±0,5) 7,0
ΦM3(±0,2) 3.2
Kolor żywicy epoksydowej: zielony

 

Tabela 2
Jednostka: mm
Model T Model T
201K 6,2 751K 9,4
241K 6,4 781K 9,6
271K 6,6 821K 9,8
331K 6,9 911K 10,4
361K 7,1 951K 10,6
391K 7,3 102K 11.2
431K 7,5 112K 11,8
471K 7,8 122K 12,3
511K 8,0 142K 13,3
621K 8,7 162K 14,3
681K 9,0    

 

Parametry elektryczne
ZOW
Numer części
Maksymalne dopuszczalne napięcie Napięcie warystora IR3 @ Maksymalne napięcie zaciskowe Wytrzymujący prąd udarowy Maksymalny Ebergt (dżul) Typowa pojemność (odniesienie)
Ac.rms DC V1,0 mA μA VC IP 1 raz 2 razy 10/1000μs @1KHz
(V) (V) (V) (V) (A) (A) (pf)
40D201K 130 170 200(185-225) 40 21 340 300 40000 30000 370 8400
40D241K 150 200 240(216-264) 395 430 8000
40D271K 175 225 270(243-297) 455 470 7600
40D331K 210 275 330(297-363) 550 550 6700
40D361K 230 300 360(324-396) 595 570 6200
40D391K 250 320 390(351-429) 650 590 5100
40D431K 275 350 430(387-473) 710 660 4900
40D471K 300 385 470(423-517) 775 720 4300
40D511K 320 415 510(459-561) 845 770 4200
40D621K 385 505 620(558-682) 1025 860 3800
40D681K 420 560 680(612-748) 1120 900 3500
40D751K 460 615 750(675-825) 1240 940 3200
40D781K 485 640 780(702-858) 1290 980 3000
40D821K 510 670 820(738-902) 1355 1080 2900
40D911K 550 745 910(819-1001) 1500 1150 2200
40D951K 575 765 950(855-1045) 1570 1200 2000
40D102K 625 825 1000(900-1100) 1650 1260 1800
40D112K 680 895 1100(990-1210) 1815 1380 1600
40D122K 750 990 1200(1080-1320) 1980 1460 1500
40D142K 880 1140 1400(1260-1540) 2310 1550 1300
40D162K 1000 1280 1600 (1440-1760) 2640 1700 1150

 

PARAMETR ELEKTRYCZNY

 

Maks.Dopuszczalne napięcie Odniesienie p2* Przy prądzie stałym 1,0 mA
Napięcie warystora (czas testu przez 30 ms) V0,1 mA □ V1 mA ■
Moc znamionowa  
Maks.Napięcie zaciskowe Przebieg prądu testowego 8/20 μs
Wytrzymujący prąd udarowy Przebieg prądu testowego 8/20 μs
Maks.Energia Przebieg prądu testowego 10/1000μs
Typowa pojemność @1KHz
Prąd upływu Przy 80% napięcia warystora
Wykładnik nieliniowy (α) 40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy 2
Życie impulsowe ≦±10% (V1mA) Przebieg prądu testowego 8/20 μs

 

LISTA MATERIAŁÓW

 

Rysunek  
Tabela materiałów RoHs Przedmiot Kompozycja Producent
Powłoka Żywica epoksydowa Wyprodukowane w Chinach i zgodnie z testami UL 94-V0, spełniają wymagania środowiskowe
Prowadzić drut miedziany Wyprodukowane w Chinach, spełniają wymagania środowiskowe
Elektroda Srebro Wyprodukowane w Chinach, spełniają wymagania środowiskowe
Dysk Tlenek cynku Wyprodukowane w Chinach, spełniają wymagania środowiskowe
Lutować Sn:96,5%CU 0,5%Ag3,0% Wyprodukowane w Chinach, spełniają wymagania środowiskowe

 

WYMAGANIA MECHANICZNE

 

Rozciąganie zakończeń Brak wybitnych uszkodzeń 1,0 kg;10sek.
Gięcie Zakończeń Brak wybitnych uszkodzeń 0.5Kgf (90°, 3 razy)
Wibracja Brak wybitnych uszkodzeń Częstotliwość: 10-55 Hz; Wzmacniacz: 0,75 mm, 1 min
.
Lutowalność Min.95% terminala powinno być pokryte
Lutować równomiernie
Temperatura lutowania: 245 ± 5 ℃ Czas zanurzenia: ≤5 sek.
Odporność na ciepło lutowania △ V1mA/V1mA
≦±5%
Temperatura lutowania: 260 ± 5 ℃ Czas zanurzenia: 10 ± 1 sek.

 

WYMAGANIA ŚRODOWISKOWE

 

Przechowywanie w wysokiej temperaturze △ V1mA/V1mA
≦±5%
Temperatura otoczenia: 125 ± 2 ℃ Czas trwania: 1000 godzin
Przechowywanie w niskiej temperaturze △ V1mA/V1mA
≦±5%
Temperatura otoczenia: -40 ± 2 ℃ Czas trwania: 1000 godzin
Przechowywanie wysokiej wilgotności/wilgotne ciepło △ V1mA/V1mA
≦±5%
Temperatura otoczenia: 40 ± 2 ℃ 90-95%
RH Czas trwania: 1000h
Cykl temperatury △ V1mA/V1mA
≦±5%
Krok Temperatura
(℃)
Okres
(min)
1 -40±3 30 ±3
2 Temperatura pokojowa 15 ±3
3 85±3 30 ±3
4 Temperatura pokojowa 15 ±3
Obciążenie w wysokiej temperaturze △ V1mA/V1mA
≦±10%
Temperatura otoczenia: 85 ± 2 ℃
Czas trwania: 1000h Obciążenie: MAX.Dopuszczalne napięcie
Obciążenie o wysokiej wilgotności △ V1mA/V1mA
≦±10%
Temperatura otoczenia: 40 ± 2 ℃
90-95%RHDCzas trwania: 1000H
Obciążenie: MAKS.Dopuszczalne napięcie
Zakres temperatury pracy -40 ℃ ~ + 85 ℃
Zakres temperatur przechowywania -40 ℃ ~ + 125 ℃

 

KOD OZNACZENIA

40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy 3

ILOŚĆ

 

40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy 4

 

 

 

Chcesz dowiedzieć się więcej o tym produkcie
Jestem zainteresowany 40D201K-162K 240V-1600V VDR Rezystor zależny od napięcia Rezystor wysokonapięciowy czy mógłbyś przesłać mi więcej informacji, takich jak rodzaj, rozmiar, ilość, materiał itp.
Dzięki!
Czekam na Twoją odpowiedź.